基于第九代V-NAND技术并遵循JEDEC新标准，该产品将于2026年第四季度量产，旨在为运行大语言模型的智能手机、XR头显及AI穿戴设备提供低延迟与低功耗的存储支撑。
三星电子于2026年6月23日正式宣布推出全球首款专为端侧人工智能优化的通用闪存存储（UFS）5.0解决方案。该存储产品遵循联合电子设备工程委员会（JEDEC）最新嵌入式存储接口规范，标志着移动存储性能进入新阶段。其核心目标是解决生成式人工智能从云端向终端设备迁移过程中产生的海量数据处理需求，通过大幅提升带宽与能效，降低大语言模型（LLM）在本地运行时的延迟，使设备响应速度得到显著改善。
在技术指标层面，UFS 5.0基于三星第九代V-NAND闪存技术构建。其连续读取速度最高达到10.8GB/s，连续写入速度最高达到9.5GB/s。这两项数值均较上一代UFS 4.1标准提升超过一倍，部分对比数据显示读取速度提升约157%，写入速度提升约239%。在能效表现上，该方案通过引入时钟门控技术与多电压管理架构，实现了同等数据传输量下功耗降低超过40%的优化效果，有效延长了移动设备的续航时间并降低了运行发热。物理形态方面，UFS 5.0采用超紧凑封装规格，尺寸为7.5mm×13mm×0.9mm，体积较前代缩小16.7%，最高支持1TB存储容量，为终端厂商在旗舰手机、XR头显及可穿戴设备内部的空间布局提供了更高自由度。
关于市场推广与行业影响，三星计划于2026年第四季度启动UFS 5.0的大规模量产，首批产品将重点供应旗舰智能手机、扩展现实（XR）头显以及AI智能穿戴设备市场。业界分析指出，随着端侧AI应用对实时数据处理能力的要求日益严苛，存储速度已超过部分电脑端PCIe Gen 4 NVMe固态硬盘的水平，UFS 5.0的推出将直接推动移动终端进入“终端AI原生时代”。三星存储器事业部负责人强调，此次技术突破旨在确立新一代智能终端的行业标准，巩固其在NAND闪存市场的领先地位，并满足未来设备对高性能与低功耗并重的双重需求。