受HBM产能挤占影响，DDR4等成熟存储产品供应收缩，现货价格大幅上扬，部分厂商转向复用旧内存以平衡成本与需求。
摩根士丹利于2026年8月发布半导体行业报告指出，2026年第三季度全球成熟制程DRAM产品如DDR4的价格预计上涨50%，第四季度仍可能再涨10%。该机构同时预测SLC NAND闪存在本年度剩余两个季度内每季涨幅均达50%，部分产品价格可能延续至2027年第一季度。这一轮涨价的核心动因在于存储厂商将产能大规模转向高带宽内存（HBM）、DDR5及高层数NAND闪存，导致成熟制程产品供应急剧减少。HBM生产消耗的硅晶圆约为传统DRAM的三倍，且因其垂直堆叠结构与大量硅通孔设计，进一步压缩了有效存储阵列面积。需求端方面，AI服务器对HBM的需求持续攀升，瑞银测算仅英伟达在2027年就将消耗约251亿Gb HBM，占全球总产量615亿Gb的四成。与此同时，DDR4等成熟产品虽被部分厂商退出，但其在消费电子领域的需求并未萎缩，反而从单一服务器市场向更广范围扩散，形成供需错配。为应对成本压力，部分科技企业开始探索旧内存再利用方案。例如Meta公司研发Vistara技术，通过CXL接口将此前淘汰的DDR4内存重新部署至AI服务器平台，延长其使用寿命并降低对DDR5的依赖。该技术可让寿命可达10至12年的DDR4在仅需4至5年使用周期的服务器中二次发挥作用，从而缓解DDR5采购压力。然而，DDR4带宽低于DDR5，性能上存在一定局限。行业观察显示，当前内存市场正经历结构性调整，产能配置重心向AI驱动的高端产品倾斜，传统产品线面临价格波动与再利用策略并行的新生态。