在2026年SEMICON Taiwan展前峰会上，三星以容量、利用率、带宽、能效为主线说明下一代3D存储器布局，并给出HBM5较HBM4E性能翻倍的目标。
三星电子在2026年SEMICON Taiwan展前峰会的Memory Executive Summit环节，公开了名为CUBE的下一代3D存储器战略框架，并列出HBM5、zHBM、zNAND-O三条研发路径。CUBE将容量、利用率、带宽和能效作为设计主轴，对应AI计算场景中对存储密度、数据利用、带宽扩展与功耗控制的多项约束。
在HBM方向上，HBM5属于既有体系向下一代演进的产品，目标性能为HBM4E的2倍，每瓦性能提升20%，热阻降低20%。这套安排延续当前架构的兼容关系，把优化重点放在数据传输效率与能耗比，以匹配大模型训练对内存带宽的更高要求。zHBM采取另一种结构思路，让存储颗粒位于GPU核心上方，并以垂直互联减少信号传输距离；其指标设定为性能达到HBM4E的约8倍、每瓦性能达到HBM4E的约3倍、热阻降低75%至90%。
zNAND-O针对大语言模型所需的高密度存储能力，指标指向比特密度相当于DRAM的10倍，并把读取带宽和能效提升到原有NAND方案的7倍。这些路径共同覆盖HBM迭代、存储器靠近GPU核心的堆叠结构以及更高密度NAND三类方向。