这家2018年成立的初创企业面向AI计算中的能耗、带宽与成本约束，提出无需EUV的三维堆叠铁电存储路线，依托格罗方德新加坡28纳米产线试产，计划2026年底送样并于2027年扩张供应。
Kepler Computing于当地时间9月10日对外介绍其新内存路径。由2018年组建的团队希望借由铁电材料和三维堆叠，同时处理AI半导体里的能耗、传输速率、容量、成本及产能约束。公司给出的计划是：首件样品目标定在2026年底，次年进入扩大产能阶段。
按公司披露的规格，这一结构的传输速度目标为接近静态随机存取存储器的量级；可用容量目标则设定在高于静态随机存取存储器，并能进一步高于高带宽内存。整套路线不要求极紫外光刻设备，而以三维堆叠集成和铁电存储方式重新组合传统内存约束。材料路线还保留CMOS工艺兼容空间，计划通过较低工作电压拉升能效并支持产能扩展。产能安排为先用格罗方德新加坡28纳米产线试产，再补入美国制造能力。公司称，把既有晶圆厂改作新内存导入环境用时8个月，只相当于通常周期的三分之一；期间主要处理设备调试和参数匹配，没有大额固定资产建厂投入。
这一布局对应AI服务器、模型训练和高密度计算持续增加的存储压力，高带宽内存供给与静态随机存取存储器造价都是现实难点。三维堆叠铁电路径达到量产要求后，可作为数据中心和自动驾驶等负载类型的候选方案；后续部署还要看材料稳定性、良率表现、控制器接口和软硬件生态衔接。